| 型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關型號 | 第一頁預覽 | 產(chǎn)品購買 |
| IPP093N06N3 | N-Channel MOSFET Transistor | ISC[Inchange Semiconductor Company Limited] | ![ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)](https://cache.ttic.cc/PdfSupLogo/572ISC.GIF) | 338.8 Kbytes | 共2頁 |  | |
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| IPP093N06N3 G | MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | Infineon Technologies |  | 685.54 Kbytes | 共10頁 | | |
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| IPP093N06N3 G | | Infineon(英飛凌) | | 687.87 Kbytes | 共10頁 | | |
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| IPP093N06N3G | OptiMOSa?￠3 Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | | 296.2 Kbytes | 共10頁 | | |
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| IPP093N06N3GHKSA1 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 | Infineon Technologies | | 687.87 Kbytes | 共10頁 | | |
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| IPP093N06N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 | Infineon Technologies | | 687.87 Kbytes | 共10頁 | | |
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| IPP093N06N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 | Infineon Technologies | | 687.87 Kbytes | 共10頁 | | |
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| IPP093N06N3GXKSA1 | 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：50A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：4V @ 34uA 漏源導通電阻：9.3mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 類型：N溝道 | Infineon(英飛凌) | | 687.87 Kbytes | 共10頁 | | |
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