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IPL65R660E6
規(guī)格信息:

封裝/外殼:PG-VSON-4

安裝風格:SMD/SMT

通道數(shù)量:1Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650V

Id-連續(xù)漏極電流:7A

Rds On-漏源導通電阻:594mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5V

Vgs - 柵極-源極電壓:20V

Qg-柵極電荷:23nC

最小工作溫度:-40C

最大工作溫度:+150C

配置:Single

Pd-功率耗散:63W

通道模式:Enhancement

高度:1.1mm

長度:8mm

系列:CoolMOSE6

晶體管類型:1N-Channel

寬度:8mm

下降時間:11ns

上升時間:8ns

典型關(guān)閉延遲時間:64ns

典型接通延遲時間:10ns

Packing Type:TAPE & REEL

Moisture Level:2a

RDS (on) max:660.0m?

IDpuls max:16.0A

VDS max:650.0V

ID max:7.0A

RthJC max:2.0 K/W

QG (typ @10V):23.0 nC

Package:ThinPAK 8x8

Budgetary Price ?€/1k:0.53

Operating Temperature min:-40.0°C

Ptot max:63.0W

Polarity:N

Pin Count:5.0 Pins

RthJA max:65.0K/W

VGS(th) min max:2.5 V 3.5 V

Mounting:SMT

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖IPL65R660E6
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
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