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IPL60R650P6S
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TSON-8

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：650.0m?

IDpuls max：16.5A

VDS max：600.0V

ID max：6.7 A

RthJC max：2.2 K/W

QG (typ @10V)：12.0 nC

Package：ThinPAK 5x6

Budgetary Price ?€/1k：0.44

Operating Temperature min：-40.0°C

Ptot max：56.8W

Polarity：N

Pin Count：5.0 Pins

RthJA max：62.0K/W

VGS(th) min max：3.5 V 4.5 V

Mounting：SMT

Special Features：price/performance

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

IPL60R650P6S

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPL60R650P6S	Very high commutation ruggedness	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1384.89 Kbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPL60R650P6SATMA1	MOSFET N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6	Infineon Technologies	1.29 Mbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPL60R650P6SATMA1	MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK	Infineon Technologies	1.35 Mbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPL60R650P6SATMA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：6.7A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4.5V @ 200uA 漏源導(dǎo)通電阻：650mΩ @ 2.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：56.8W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	1.35 Mbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買