不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：790pF @ 100V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：385 毫歐 @ 5.2A，10V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PG-VSON-4
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）：600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：9A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 340μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：17nC @ 10V
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Id-連續(xù)漏極電流：27A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：385mOhms
配置：Single
商標(biāo)名：CoolMOS
封裝：CutTape
高度：1.1mm
長度：8mm
系列：CoolMOSCE
晶體管類型：1N-Channel
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs