封裝/外殼：PG-TO262-3
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：550V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：10A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 370μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：25nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1020pF @ 100V
功率耗散（最大值）：89W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：350 毫歐 @ 5.6A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3
安裝風(fēng)格：ThroughHole
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：500V
Id-連續(xù)漏極電流：10A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：350mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+150C
配置：Single
Pd-功率耗散：89W
通道模式：Enhancement
商標(biāo)名：CoolMOS
封裝：Tube
高度：9.45mm
長(zhǎng)度：10.2mm
系列：CoolMOSCE
晶體管類型：1N-Channel
寬度：4.5mm
下降時(shí)間：12ns
上升時(shí)間：14ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：80ns
典型接通延遲時(shí)間：35ns
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs