FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：550V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：23A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 930μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：64nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：2540pF @ 100V
功率耗散（最大值）：192W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：140 毫歐 @ 14A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3
安裝風(fēng)格：ThroughHole
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：500V
Id-連續(xù)漏極電流：23A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：140mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+150C
配置：Single
Pd-功率耗散：192W
通道模式：Enhancement
商標名：CoolMOS
封裝：Tube
高度：9.45mm
長度：10.2mm
系列：CoolMOSCE
晶體管類型：1N-Channel
寬度：4.5mm
下降時間：8ns
上升時間：14ns
典型關(guān)閉延遲時間：80ns
典型接通延遲時間：35ns
封裝/外殼：PG-TO262-3
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs