RoHS：符合 RoHS
104 W：Pd - 功率消耗
安裝風(fēng)格：Through Hole
封裝/外殼：PG-TO262-3
系列：IPI50R299
品牌：InFineon Technologies
下降時(shí)間：12 nS
最低工作溫度：- 55 C
上升時(shí)間：14 nS
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量：500
晶體管極性：N-Channel
公司名稱：CoolMOS
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間：80 nS
Vds - 漏-源擊穿電壓：550 V
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓：20 V
Id - C連續(xù)漏極電流：12 A
Rds On - 漏-源電阻：299 m0hms
配置：Single
23 nC：Qg - 閘極充電
最高工作溫度：+ 150 C
通道數(shù)量：1Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：500V
Id-連續(xù)漏極電流：12A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：270mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5V
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
Qg-柵極電荷：31nC
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+150C
Pd-功率耗散：104W
通道模式：Enhancement
封裝：Tube
高度：9.45mm
長(zhǎng)度：10.2mm
晶體管類型：1N-Channel
寬度：4.5mm
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：80ns
典型接通延遲時(shí)間：35ns
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs