RoHS:符合 RoHS
104 W:Pd - 功率消耗
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝/外殼:PG-TO262-3
系列:IPI50R299
品牌:InFineon Technologies
下降時(shí)間:12 nS
最低工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:14 nS
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量:500
晶體管極性:N-Channel
公司名稱:CoolMOS
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間:80 nS
Vds - 漏-源擊穿電壓:550 V
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:20 V
Id - C連續(xù)漏極電流:12 A
Rds On - 漏-源電阻:299 m0hms
配置:Single
23 nC:Qg - 閘極充電
最高工作溫度:+ 150 C
通道數(shù)量:1Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:500V
Id-連續(xù)漏極電流:12A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:270mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5V
Vgs - 柵極-源極電壓:20V
Qg-柵極電荷:31nC
最小工作溫度:-55C
最大工作溫度:+150C
Pd-功率耗散:104W
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
高度:9.45mm
長(zhǎng)度:10.2mm
晶體管類型:1N-Channel
寬度:4.5mm
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:80ns
典型接通延遲時(shí)間:35ns
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs