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IPD90N04S3-H4
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:40 V

Id-連續(xù)漏極電流:90 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.3 mOhms

配置:Single

資格:AEC-Q101

商標(biāo)名:OptiMOS

封裝:Cut Tape

封裝:Reel

高度:2.3 mm

長度:6.5 mm

系列:OptiMOS-T

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:6.22 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

零件號(hào)別名:IPD90N04S3H4ATMA1 IPD9N4S3H4XT SP000415584

單位重量:4 g

介紹圖IPD90N04S3-H4
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IPD90N04S3-H4OptiMOS-T Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)168.11 Kbytes共9頁IPD90N04S3-H4的PDF文件地址 IPD90N04S3-H4的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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