������:Infineon
�a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
RoHS:��
���g(sh��):Si
���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
���b / ���w:TO-252-3
ͨ����(sh��)��:1 Channel
���w�ܘO��:N-Channel
Vds-©Դ�O����늉�:40 V
Id-�B�m(x��)©�O���:80 A
Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:6 mOhms
Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
��С�����ض�:- 55 C
������ض�:+ 175 C
Pd-���ʺ�ɢ:100 W
����:Single
ͨ��ģʽ:Enhancement
�Y��:AEC-Q101
�̘�(bi��o)��:OptiMOS
���b:Reel
�߶�:2.3 mm
�L��:6.5 mm
ϵ��:OptiMOS-T
���w�����:1 N-Channel
����:6.22 mm
�̘�(bi��o):Infineon Technologies
�½��r�g:10 ns
�a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
�����r�g:10 ns
���S���b��(sh��)��:2500
��e:MOSFETs
�����P(gu��n)�]���t�r�g:20 ns
���ͽ�ͨ���t�r�g:15 ns
���̖�e��:IPD80N04S306ATMA1 IPD8N4S36XT SP000261220
�����:4 g