制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
RoHS:是
技術:Si
封裝 / 箱體:TO-247-3
安裝風格:Through Hole
配置:Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V
集電極—射極飽和電壓:1.85 V
柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:100 A
Pd-功率耗散:333 W
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 175 C
系列:HighSpeed 3
封裝:Tube
集電極最大連續(xù)電流 Ic:100 A
商標:Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流:100 nA
產(chǎn)品類型:IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量:240
子類別:IGBTs
商標名:TRENCHSTOP
零件號別名:IGW50N60H3FKSA1 IGW5N6H3XK SP000702548
單位重量:38 g