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IGT60R190D1S
規(guī)格信息:

商品類型MOS(場效應(yīng)管)

漏源電壓(Vdss)600V

連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時)12.5A(Tc)

柵源極閾值電壓1.6V @ 960uA

漏源導(dǎo)通電阻-

最大功率耗散(Ta=25°C)55.5W(Tc)

類型N溝道

介紹圖IGT60R190D1S
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IGT60R190D1S600V CoolGaN? enhancement-mode Power Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)570.17 Kbytes共17頁IGT60R190D1S的PDF文件地址 IGT60R190D1S的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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