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HGTG30N60B3 PDF文件_規(guī)格信息

HGTG30N60B3
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管

RoHS:是

技術:Si

封裝 / 箱體:TO-247-3

安裝風格:Through Hole

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V

集電極—射極飽和電壓:1.45 V

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:60 A

Pd-功率耗散:208 W

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

系列:HGTG30N60B3

封裝:Tube

集電極最大連續(xù)電流 Ic:60 A

高度:20.82 mm

長度:15.87 mm

寬度:4.82 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

集電極連續(xù)電流:60 A

柵極—射極漏泄電流:+/- 250 nA

產(chǎn)品類型:IGBT Transistors

工廠包裝數(shù)量:450

子類別:IGBTs

零件號別名:HGTG30N60B3_NL

單位重量:6.390 g

HGTG30N60B3

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關型號	產(chǎn)品購買
HGTG30N60B3	60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	221.78 Kbytes	共8頁	HGTG30N60B3,HGTG30N60B3D,HGTG30N60B3D,HGTG20N60C3D,HGTP12N60C3D,HGTP12N60C3D,HGTG12N60C3D,HGTP3N60C3D,HGTP3N60B3D,HGTG40N60B3	產(chǎn)品購買
HGTG30N60B3	60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT	INTERSIL[Intersil Corporation]	105.22 Kbytes	共7頁	HGTG30N60B3D,HGTG30N60B3,HGTG30N60B3D,HGTG20N60C3,HGTG20N60C3D,HGTP12N60C3D,HGTG12N60C3D,HGTP12N60C3D,HGTP3N60B3D,HGTG40N60B3	產(chǎn)品購買
HGTG30N60B3D	60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	214.44 Kbytes	共8頁	HGTG30N60B3,HGTG30N60B3D,HGTG30N60B3,HGTG20N60C3D,HGTP12N60C3D,HGTP12N60C3D,HGTG12N60C3D,HGTP3N60C3D,HGTP3N60B3D,HGTG40N60B3	產(chǎn)品購買
HGTG30N60B3D	60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode	INTERSIL[Intersil Corporation]	109.09 Kbytes	共7頁	HGTG20N60C3D,HGTG12N60C3D,HGTP3N60B3D,HGTG20N60B3D,HGTG20N60C3D,HGTG12N60C3D,HGTG12N60C3D,HGTG20N60B3D,HGTG7N60A4D,HGT1S3N60A4DS	產(chǎn)品購買
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HGTG30N60B3D_04	60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	228.05 Kbytes	共8頁	STB11NM60FD,STGB6NC60HD,STGP10NB60S_05,SI4914DY,STTH806DTI,STGB10NC60HD,STGP7NB60K_07,STGE200NB60S,STGB10NC60K_07,STGP10NB60SD	產(chǎn)品購買

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