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制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管

RoHS:是

技術:Si

封裝 / 箱體:TO-247-3

安裝風格:Through Hole

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V

集電極—射極飽和電壓:1.8 V

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:20 A

Pd-功率耗散:165 W

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 150 C

系列:HGTG20N60B3D

封裝:Tube

集電極最大連續(xù)電流 Ic:40 A

高度:20.82 mm

長度:15.87 mm

寬度:4.82 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

集電極連續(xù)電流:40 A

柵極—射極漏泄電流:+/- 100 nA

產(chǎn)品類型:IGBT Transistors

工廠包裝數(shù)量:450

子類別:IGBTs

零件號別名:HGTG20N60B3D_NL

單位重量:6.390 g