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HGTD8P50G1S
規(guī)格信息:

Series-

PackageBulk

IGBT Type-

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)500 V

Current - Collector (Ic) (Max)12 A

Current - Collector Pulsed (Icm)18 A

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 3A

Power - Max66 W

Switching Energy-

Input TypeStandard

Gate Charge30 nC

Td (on/off) @ 25°C-

Test Condition-

Reverse Recovery Time (trr)-

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Supplier Device PackageTO-252AA

介紹圖HGTD8P50G1S
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
HGTD8P50G1S8A, 500V P-Channel IGBTs INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)110.13 Kbytes共9頁HGTD8P50G1S的PDF文件地址FQB3P50,FQP1P50,2N6975,FQP3P50,HGTD10N40F1,FQD1P50,HGTD6N40E1,HGTH20N40C1D,FQD3P50,HGTP10N40C1 HGTD8P50G1S的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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