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制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管

RoHS:是

技術(shù):Si

封裝 / 箱體:TO-247-3

安裝風(fēng)格:Through Hole

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V

集電極—射極飽和電壓:1.65 V

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:24 A

Pd-功率耗散:104 W

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 150 C

系列:HGTG12N60C3D

封裝:Tube

集電極最大連續(xù)電流 Ic:24 A

高度:20.82 mm

長度:15.87 mm

寬度:4.82 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

集電極連續(xù)電流:24 A

柵極—射極漏泄電流:+/- 100 nA

產(chǎn)品類型:IGBT Transistors

工廠包裝數(shù)量:450

子類別:IGBTs

零件號(hào)別名:HGTG12N60C3D_NL

單位重量:6.400 g