制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-223-4
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續(xù)漏極電流:200 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:11.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.1 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:QFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.8 mm
長度:6.5 mm
系列:FQT1N60C
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:3.5 mm
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
下降時間:27 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:21 ns
工廠包裝數(shù)量:4000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:13 ns
典型接通延遲時間:7 ns
零件號別名:FQT1N60CTF_WS
單位重量:112 mg