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FQP10N20
規(guī)格信息:

FET 類型:N 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):200V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):18nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):670pF @ 25V

功率耗散(最大值):87W(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):360 毫歐 @ 5A,10V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3

封裝/外殼:TO-220-3

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖FQP10N20
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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FQP10N20200V LOGIC N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)627.3 Kbytes共8頁FQP10N20的PDF文件地址FQAF19N20L,FQB5N20L,FQPF4N20L,FQP5N20L,FQAF34N20L,FQPF5N20L,FQD7N20L,FQB10N20L,FQB7N20L,RFP2N20L FQP10N20的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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FQP10N20CTSTUMOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220ON SemiconductorON Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)96.69 Kbytes共1頁FQP10N20CTSTU的PDF文件地址 FQP10N20CTSTU的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FQP10N20CTSTUMOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)96.69 Kbytes共1頁FQP10N20CTSTU的PDF文件地址 FQP10N20CTSTU的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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