制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-92-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:500 V
Id-連續(xù)漏極電流:380 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:890 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Ammo Pack
高度:5.33 mm
長(zhǎng)度:5.2 mm
產(chǎn)品:MOSFET Small Signal
系列:FQN1N50C
晶體管類型:1 N-Channel
類型:MOSFET
寬度:4.19 mm
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值:0.6 S
下降時(shí)間:10 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:10 ns
工廠包裝數(shù)量:2000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:20 ns
典型接通延遲時(shí)間:10 ns
單位重量:240 mg