制造商:Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:7 A
Vds-漏源極擊穿電壓:- 60 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:410 mOhms
晶體管極性:P-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :25 V
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:3.75 W
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:I2PAK-3
商標(biāo):Fairchild Semiconductor
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:25 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:50 ns
系列:FQI7P06
典型關(guān)閉延遲時間:7.5 ns
典型接通延遲時間:7 ns
FQI7P06
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQI7P06 | 60V P-Channel MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 662.26 Kbytes | 共9頁 | FDFS2P106A,FQAF47P06,STB16PF06L,FDN5618P,ZXMP6A17G,ZXMP6A13G,FQD11P06,FQP27P06,FQPF27P06,FQB11P06 | 產(chǎn)品購買 | |||
| FQI7P06TU | MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK | ON Semiconductor | 662.27 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| FQI7P06TU | MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK | Fairchild Semiconductor | 662.27 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 |
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