制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-262-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續(xù)漏極電流:4.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:3.13 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
高度:11.05 mm
長度:10.9 mm
系列:FQI5N60C
晶體管類型:1 N-Channel
類型:MOSFET
寬度:4.83 mm
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值:4.7 S
下降時(shí)間:46 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:42 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:38 ns
典型接通延遲時(shí)間:10 ns
零件號(hào)別名:FQI5N60CTU_NL
單位重量:2.084 g