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FQI50N06TU
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-262-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:50 A

Rds On-漏源導通電阻:22 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3.75 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

高度:7.88 mm

長度:10.29 mm

系列:FQI50N06

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:4.83 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導 - 最小值:22 S

下降時間:65 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:105 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:60 ns

典型接通延遲時間:15 ns

零件號別名:FQI50N06TU_NL

單位重量:2.084 g

介紹圖FQI50N06TU
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
FQI50N06TUN-Channel QFET?? MOSFET 60 V, 50 A, 22 m?? FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)1866.82 Kbytes共9頁FQI50N06TU的PDF文件地址 FQI50N06TU的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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