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FQI5N15
規(guī)格信息:

制造商:Fairchild Semiconductor

產品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:5.4 A

Vds-漏源極擊穿電壓:150 V

Rds On-漏源導通電阻:800 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :25 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3.75 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:I2PAK-3

商標:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:25 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:45 ns

系列:FQI5N15

典型關閉延遲時間:13 ns

典型接通延遲時間:5 ns

介紹圖FQI5N15
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
FQI5N15150V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網765.37 Kbytes共9頁FQI5N15的PDF文件地址FQA28N15,FQP28N15,HUFA75831SK8,FDS2582,FQA46N15,FQP46N15,HUFA75842P3,FQAF28N15,FQP6N15,HUFA75852G3 FQI5N15的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
FQI5N15TUMOSFET N-CH 150V 5.4A I2PAKON SemiconductorON Semiconductor的LOGO-天天IC網765.38 Kbytes共9頁FQI5N15TU的PDF文件地址 FQI5N15TU的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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