FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：21.8A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：53nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1080pF @ 25V
功率耗散（最大值）：180W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：170 毫歐 @ 10.9A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：TO-3PN
封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs