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FQA11N90 PDF文件_規(guī)格信息

FQA11N90
規(guī)格信息：

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：900V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：11.4A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：94nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：3500pF @ 25V

功率耗散（最大值）：300W（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：960 毫歐 @ 5.7A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-3P

封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

FQA11N90

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
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FQA11N90C-F109	FQA11N90C_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 11 A, 1.1 Ohm	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	1060.53 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
FQA11N90-F109	MOSFET 900V N-Channel QFET	ON Semiconductor / Fairchild	1.13 Mbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
FQA11N90-F109	MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P	ON Semiconductor	1.56 Mbytes	共9頁		產(chǎn)品購買