玄幻小说完本,《完美世界》txt全集

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FQA10N80C PDF文件_規(guī)格信息

FQA10N80C
規(guī)格信息：

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：800V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：10A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：58nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2800pF @ 25V

功率耗散（最大值）：240W（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：1.1 歐姆 @ 5A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-3P

封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

FQA10N80C

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
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FQA10N80C-F109	FQA10N80C_F109 N-Channel QFET?? MOSFET 800 V, 10 A, 1.1 ??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	435.47 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買