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FQA10N80
規(guī)格信息：

FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：800V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：9.8A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：71nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：2700pF @ 25V

功率耗散（最大值）：240W（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.05 歐姆 @ 4.9A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-3P

封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖FQA10N80
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
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FQA10N80C-F109FQA10N80C_F109 N-Channel QFET?? MOSFET 800 V, 10 A, 1.1 ?? FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網435.47 Kbytes共8頁FQA10N80C-F109的PDF文件地址 FQA10N80C-F109的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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