FET 類(lèi)型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：18A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：39nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1100pF @ 25V
功率耗散（最大值）：120W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：190 毫歐 @ 9A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-3P
封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs