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制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類(lèi):IGBT 晶體管

RoHS:是

技術(shù):Si

封裝 / 箱體:TO-247-3

安裝風(fēng)格:Through Hole

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:300 V

集電極—射極飽和電壓:1.3 V

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:75 A

Pd-功率耗散:463 W

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

系列:FGH50N3

封裝:Tube

集電極最大連續(xù)電流 Ic:75 A

高度:20.82 mm

長(zhǎng)度:15.87 mm

寬度:4.82 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

集電極連續(xù)電流:75 A

柵極—射極漏泄電流:+/- 250 nA

產(chǎn)品類(lèi)型:IGBT Transistors

工廠包裝數(shù)量:450

子類(lèi)別:IGBTs

零件號(hào)別名:FGH50N3_NL

單位重量:6.390 g