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  • FGH30N60LSDTU PDF文件_規(guī)格信息
FGH30N60LSDTU
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管

RoHS:是

技術(shù):Si

封裝 / 箱體:TO-247-3

安裝風(fēng)格:Through Hole

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

系列:FGH30N60LSD

封裝:Tube

集電極最大連續(xù)電流 Ic:60 A

高度:20.82 mm

長度:15.87 mm

寬度:4.82 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

產(chǎn)品類型:IGBT Transistors

工廠包裝數(shù)量:450

子類別:IGBTs

單位重量:6.390 g

介紹圖FGH30N60LSDTU
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FGH30N60LSDTULow saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC = 30A FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)714.63 Kbytes共9頁FGH30N60LSDTU的PDF文件地址NSS40200LT1G,PBSS306NX,ZTX749,ZXT2M322_07,NSS40200UW6T1G,PBSS306PZ,FSB560_01,CP709,ZXT14P40DX,NSS12500UW3T2G_07 FGH30N60LSDTU的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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