制造商:ON Semiconductor
產品種類:IGBT 晶體管
RoHS:是
技術:Si
封裝 / 箱體:TO-247
安裝風格:Through Hole
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V
集電極—射極飽和電壓:1.9 V
柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:80 A
Pd-功率耗散:349 W
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
系列:FGH40N60SMDF
封裝:Tube
商標:ON Semiconductor / Fairchild
柵極—射極漏泄電流:400 nA
產品類型:IGBT Transistors
工廠包裝數量:450
子類別:IGBTs
單位重量:6.390 g