標準包裝：2,500
類別：分立半導體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：21A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.5 毫歐 @ 21A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：73nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：5521pF @ 10V
功率 - 最大值：3W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸焊盤
供應商器件封裝：8-SOIC
其它名稱：FDS6162N3_NLFDS6162N3_NLTRFDS6162N3_NLTR-NDFDS6162N3TR