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FDS4935BZ
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SO-8

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:6.9 A

Rds On-漏源導通電阻:18 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.6 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商標名:PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.75 mm

長度:4.9 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:FDS4935BZ

晶體管類型:2 P-Channel

類型:MOSFET

寬度:3.9 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導 - 最小值:22 S

下降時間:13 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:13 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:68 ns

典型接通延遲時間:12 ns

單位重量:187 mg

FDS4935BZ

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關型號	產(chǎn)品購買
FDS4935BZ	Dual 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	154.04 Kbytes	共5頁	SI4963DY,FDS9953A,FDS7779Z,FDS9933,FDZ208P,FDS8960C,FDS4935A,FDS8958,SI6933DQ,FDS7079ZN3	產(chǎn)品購買
FDS4935BZ-NL	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1057.47 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FDS4935BZ-NL&-38		VBsemi(臺灣微碧)	850.79 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買