標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:FET - 陣列
系列:PowerTrench®
包裝:帶卷(TR)
FET 類型:N 和 P 溝道
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss):40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.5A,4.4A
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):39 毫歐 @ 5.5A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):410pF @ 20V
功率 - 最大值:900mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC N
FDS4895C
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS4895C | Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 162.13 Kbytes | 共8頁 | SI4963DY,FDS8960C,FDS9953A,FDS4935BZ,FDS9933,FDS4935A,FDS8958,FDS4897C,SI6933DQ,FDS6993 | 產(chǎn)品購買 |
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