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FDP7N60NZ
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:6.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.05 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:13 nC

Pd-功率耗散:147 W

配置:Single

商標(biāo)名:UniFET

封裝:Tube

高度:16.3 mm

長(zhǎng)度:10.67 mm

系列:FDP7N60NZ

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.7 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:7.3 S

下降時(shí)間:25 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:30 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

單位重量:1.800 g

介紹圖FDP7N60NZ
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
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