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FDMD8630
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:Power-56-8

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:167 A

Rds On-漏源導通電阻:1 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:142 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:43 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

商標:ON Semiconductor

正向跨導 - 最小值:281 S

下降時間:24 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:15 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:66 ns

典型接通延遲時間:14 ns

單位重量:98 mg

介紹圖FDMD8630
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
FDMD8630Dual N-Channel PowerTrench0 MOSFET ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網574.67 Kbytes共8頁FDMD8630的PDF文件地址 FDMD8630的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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