制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PQFN-8
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:40 V
Id-連續(xù)漏極電流:87 A
Rds On-漏源導通電阻:2.6 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:62 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:33 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
商標:ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:111 S
下降時間:7 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:7 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:34 ns
典型接通延遲時間:12 ns
單位重量:153.401 mg
FDMD8440L
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| FDMD8440L | Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | ONSEMI[ON Semiconductor] | 612.89 Kbytes | 共8頁 | 產(chǎn)品購買 |
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