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FDMD8280
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PQFN-12

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:80 V

Id-連續(xù)漏極電流:40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:8.2 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:38 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:Power Clip

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.8 mm

長度:5 mm

系列:FDMD8280

晶體管類型:2 N-Channel

寬度:3.3 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

下降時間:8.9 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:12 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:26 ns

典型接通延遲時間:15 ns

單位重量:82.320 mg

介紹圖FDMD8280
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FDMD8280Dual N-Channel Power Trench?? MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)545.61 Kbytes共7頁FDMD8280的PDF文件地址 FDMD8280的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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