FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：26A（Ta），80A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：280nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：15000pF @ 25V
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.7毫歐 @ 80A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：I2PAK（TO-262）
封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs