制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-262-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:80 A
Rds On-漏源導通電阻:3.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:310 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:PowerTrench
封裝:Tube
高度:7.88 mm
長度:10.29 mm
系列:FDI038AN06A0
晶體管類型:1 N-Channel
類型:MOSFET
寬度:4.83 mm
商標:ON Semiconductor / Fairchild
下降時間:60 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:144 ns
工廠包裝數(shù)量:800
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:34 ns
典型接通延遲時間:17 ns
零件號別名:FDI038AN06A0_NL
單位重量:2.084 g
FDI038AN06A0
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