FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：12A（Ta），80A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：110nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：6000pF @ 25V
功率耗散（最大值）：310W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：9 毫歐 @ 80A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：I2PAK（TO-262）
封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs