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FDD3510H
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-5

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:80 V

Id-連續(xù)漏極電流:4.3 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:80 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:2.39 mm

長度:6.73 mm

系列:FDD3510H

晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel

寬度:6.22 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

下降時(shí)間:2 ns, 5 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:2 ns, 3 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:16 ns, 25 ns

典型接通延遲時(shí)間:7 ns, 6 ns

單位重量:260.370 mg

介紹圖FDD3510H
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FDD3510HDual N & P-Channel PowerTrench MOSFET N-Channel: 80V, 13.9A, 80mOHM P-Channel: -80V, -9.4A, 190mOHM FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)434.05 Kbytes共10頁FDD3510H的PDF文件地址 FDD3510H的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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