制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續(xù)漏極電流:3.6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:130 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:3.2 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:PowerTrench
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:2.39 mm
長度:6.73 mm
系列:FDD2670
晶體管類型:1 N-Channel
類型:MOSFET
寬度:6.22 mm
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值:15 S
下降時(shí)間:25 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:8 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 ns
典型接通延遲時(shí)間:13 ns
零件號別名:FDD2670_NL
單位重量:260.370 mg
FDD2670
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDD2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 95.4 Kbytes | 共5頁 | FDC2612,FDD2612,FDP2670,FDS2170N7,FDS2670,STD4N20,FQAF34N20,FQD630,FQP5N20,FQPF4N20L | 產(chǎn)品購買 |
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