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FDD306P
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產品種類:MOSFET

RoHS:

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

通道數量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:12 V

Id-連續(xù)漏極電流:6.7 A

Rds On-漏源導通電阻:28 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:8 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:2.39 mm

長度:6.73 mm

系列:FDD306P

晶體管類型:1 P-Channel

寬度:6.22 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

下降時間:41 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:8 ns

工廠包裝數量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:34 ns

典型接通延遲時間:16 ns

零件號別名:FDD306P_NL

單位重量:260.370 mg

介紹圖FDD306P
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
FDD306PP-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網505.64 Kbytes共5頁FDD306P的PDF文件地址FDW258P,FDC604P,SI3445DV,FDC606P,SI3447DV,FDC6312P,SI4467DY,FDC6318P,SI6467DQ,FDG326P FDD306P的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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