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FDC6321C
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SSOT-6

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:25 V

Id-連續(xù)漏極電流:680 mA, 460 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:450 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:8 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:900 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.1 mm

長度:2.9 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:FDC6321C

晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel

類型:FET

寬度:1.6 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:1.45 S, 0.8 S

下降時間:8 ns, 9 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:8 ns, 9 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:17 ns, 55 ns

典型接通延遲時間:3 ns, 7 ns

零件號別名:FDC6321C_NL

單位重量:30 mg

介紹圖FDC6321C
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FDC6321CDual N & P Channel , Digital FET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)273.19 Kbytes共11頁FDC6321C的PDF文件地址FDC6320C,FDC6322C,FDG6320C,FDG6321C,FDG6322C,FDG6302P,VSP5000,FDG6303N,FDG6304P,CS5471 FDC6321C的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FDC6321CN- and P-Channel V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)1131.52 Kbytes共10頁FDC6321C的PDF文件地址 FDC6321C的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FDC6321C相關(guān)型號規(guī)格信息
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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