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FDC6312P
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SSOT-6

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:2.3 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:115 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:8 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:960 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.1 mm

長度:2.9 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:FDC6312P

晶體管類型:2 P-Channel

類型:MOSFET

寬度:1.6 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:5.3 S

下降時(shí)間:13 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:13 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:18 ns

典型接通延遲時(shí)間:8 ns

零件號(hào)別名:FDC6312P_NL

單位重量:30 mg

介紹圖FDC6312P
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FDC6312PDual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)88.81 Kbytes共5頁FDC6312P的PDF文件地址FDC6318P,SI3445DV,FDW2504P,SI6963DQ,FDC604P,SI3447DV,FDW2506P,FDC606P,SI4467DY,FDW2508P FDC6312P的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FDC6312PHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON) TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)233.31 Kbytes共2頁FDC6312P的PDF文件地址 FDC6312P的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FDC6312PDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)1086.44 Kbytes共9頁FDC6312P的PDF文件地址 FDC6312P的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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