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FDC608PZ
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SSOT-6

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:5.8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:30 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:12 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.6 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.1 mm

長度:2.9 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:FDC608PZ

晶體管類型:1 P-Channel

類型:Power MOSFET

寬度:1.6 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:22 S

下降時間:8 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:8 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:91 ns

典型接通延遲時間:13 ns

單位重量:30 mg

介紹圖FDC608PZ
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FDC608PZP-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)148.98 Kbytes共5頁FDC608PZ的PDF文件地址FDW2502P_03,FDW9926A,FDW2501N,FDZ206P,FDW254P_01,FDW2501NZ_02,FDMA291P,FDS8958A_07,FDS8962C,FDMC5614P FDC608PZ的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FDC608PZHigh performance trench technology for extremely low RDS TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)255.27 Kbytes共2頁FDC608PZ的PDF文件地址 FDC608PZ的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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