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制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:430 mA
Vds-漏源極擊穿電壓:- 20 V
Rds On-漏源導通電阻:900 mOhms
晶體管極性:P-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :8 V
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:250 mW
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-363-6
商標:Diodes Incorporated
通道模式:Enhancement
配置:Dual
最小工作溫度:- 65 C
系列:DMP2004
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