制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-23-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:270 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.2 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:1.8 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:440 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.975 mm
長度:2.9 mm
系列:DMP10
晶體管類型:1 P-Channel
寬度:1.3 mm
商標(biāo):Diodes Incorporated
下降時間:4.9 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:2.6 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:8.4 ns
典型接通延遲時間:3.3 ns
單位重量:8 mg