制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOIC-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:7.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:21 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:13.2 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.7 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
系列:DMN3018
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
商標(biāo):Diodes Incorporated
下降時(shí)間:4.1 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:4.4 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:20.1 ns
典型接通延遲時(shí)間:4.3 ns
單位重量:74 mg