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制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TSSOP-8

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:5.4 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:24 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:950 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:12 V

Qg-柵極電荷:8.8 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:780 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:DMN2019

晶體管類型:2 N-Channel

商標:Diodes Incorporated

下降時間:234 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:78 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:562 ns

典型接通延遲時間:53 ns

單位重量:158 mg